高電圧・高速半導体スイッチ（DC/RF用途）
Fast High Voltage Solid-State Switches

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■用　途
	サイラトロン、イグナイトロン等の電子管部品の代替
	電子管スイッチング部品の代替
	パルス加速器の加速、偏向回路部
	質量分析器・高エネルギー物理学実験装置
	レーダ・マイクロ波モジュレータ
	レーザ装置、電子光学機器
	蘇生用電気ショック装置
	EMC試験用ジェネレータ　　など用途多数

■特　長
	●小型／軽量のモジュール内に約500個の半導体素子をパッケージ
	●MOSFET,IGBT,MCT,SCRなどの半導体素子技術を応用
	●高信頼性、長寿命のスイッチングを実現
	●制御電力を抑えたTTLドライブ設計
	●用途に応じた200種類以上のラインナップ

■主要特性
	・動作電圧：1 〜 120 kV
	・ピーク電流：15 〜 16000 A
	・電圧立上り時間：ナノ秒オーダー
	・電流立上り勾配：〜 32 kA/µs
	・ガルバニック絶縁：〜 120 kVDC

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