高電圧・高速半導体スイッチ（DC/RF用途）
Fast High Voltage Solid-State Switches

●用途に応じた200種類以上の豊富な高速半導体スイッチのラインナップをご紹介いたします。

■クイックリファレンス

タイプ名	方式	高速 立上	高 di/dt	低ｲﾝﾋﾟ -ﾀﾞﾝｽ	電源	電圧[kV]	電流[A]	On時間	On継続時間 [ns]	立上り時間 [ns]	抵抗[Ω]
A	SCR				DC	4〜120	1k〜16k	可変	3500〜∞	280〜
B1	MOSFET				DC	3〜80	15〜200	固定	120,150,200	5〜	3.4〜136
B2	MOSFET		○		DC	0.5〜40	70〜1.6k	固定	150	2.5〜	0.08〜20
B3	MOSFET	○	○		DC	3.6〜12	60〜200	固定	120,200	1.6〜	2.5〜4.8
B4	MOSFET			○	DC	4.8〜24	60〜960	固定	150,200		0.19〜1.71
C1	MOSFET				DC	0.5〜36	30〜640	可変	100〜∞	4〜	0.043〜74
C2	MOSFET		○		DC	3〜36	400〜3.2k	可変	300〜∞	5〜15	0.083〜4
C3	MOSFET				DC	3〜120	15〜200	可変	60〜∞	15〜
C4	MOSFET				DC	3〜21.6	125〜3.75k	可変	150〜∞	50〜
C5	MOSFET				AC	6〜36	15〜125	可変	150〜∞
C6	IGBT				DC	3〜36	800〜4.8k	可変	200〜∞	25〜150
C7	MCT				DC	4〜18	〜3.0k	可変	1000〜∞	110〜
C8	MOSFET ﾌﾟｯｼｭﾌﾟﾙ				DC	2x2 〜 2x65	2x15 〜 2x100	可変	60〜∞	6〜
D	パルスユニット					3〜12kV, 15〜80A
E	高電圧ダイオード					6〜80kV, 750〜3000Apeak
F	クーリング システム					直接水冷式クーリングシステム
G1	高電圧レジスタ					1〜3W 22Ω〜68MΩ, 2.5kV〜10kV
G2	高電圧コンデンサ					100pF〜10nF 4kV〜40kV
G3	高電圧プローブ、50Ωアッテネータ、その他アクセサリ

■ラインナップ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞ方式	特　性	ｽｲｯﾁﾝｸﾞ方式	特　性
●制御電流でON時間をコントロール
	Type A:サイリスタ
●ON時間固定モデル
	Type B1:MOSFET 多目的型		Type B2:MOSFET 高速立上り型
	Type B3:MOSFET 超高速立上り型		Type B4:MOSFET 低ON抵抗型
●ON時間可変モデル
	Type C1:MOSFET 多目的型		Type C2:MOSFET 高速立上り型
	Type C3:MOSFET 低ｶｯﾌﾟﾘﾝｸﾞ容量型		Type C4:MOSFET 低ON抵抗型
	Type C5:MOSFET 交流ｽｲｯﾁﾝｸﾞ型		Type C6:IGBT 多目的型
	Type C7:MCT MOS制御サイリスタ		Type C8:MOSFET 高速ﾌﾟｯｼｭﾌﾟﾙ型
●その他のモデル
	高電圧/OEMパルスユニット	研究用／OEM向き
	高電圧ダイオード	高速リカバリ型
	クーリングシステム	直接水冷式クーリングシステム
	高電圧レジスタ	1〜3W 22Ω〜68MΩ, 2.5kV〜10kV
	高電圧コンデンサ	100pF〜10nF 4kV〜40kV
	高電圧プローブ、50Ωアッテネータ、その他アクセサリ

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